上海馬弗爐科技單溫區(qū)等離子PECVD系統(tǒng)

簡要描述：MFLPECVD408-12是一款PECVD系統(tǒng)的管式爐系統(tǒng)。由真空管式爐、射頻電源、供氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)組成。最高溫度可以達(dá)到1200度，采用30段程序溫控儀表，K型熱電偶，爐膛為高純氧化鋁陶瓷纖維,此設(shè)備可用于生長納米線或用CVD方法制備各種薄膜。

產(chǎn)品型號：MFLPECVD408-12
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時間：2024-06-11
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詳細(xì)介紹

一、產(chǎn)品描述

MFLPECVD408-12是一款PECVD系統(tǒng)的管式爐系統(tǒng)。由真空管式爐、射頻電源、供氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)組成。最高溫度可以達(dá)到1200度，采用30段程序溫控儀表，K型熱電偶，爐膛為高純氧化鋁陶瓷纖維,此設(shè)備可用于生長納米線或用CVD方法制備各種薄膜。

二、產(chǎn)品特點

1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。
2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小
4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。
5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。

二、技術(shù)參數(shù)

設(shè)備型號	MFLPECVD408-12
管式爐	控溫范圍	室溫-1200℃
	工作溫度	≤1100℃
	加熱區(qū)長度	400mm
	石英管	直徑 80mm，長 1400mm (管徑可選 50， 60 ，100)
	控溫精度	＜1000 ±0.1℃ ； ≥1000±1℃
	恒溫波動	±1℃（測試點為1000℃）
	升溫速度	推薦1000度以下≤10℃/min，最快升溫速度≤30℃/min
	降溫速度	700℃以上≤10℃/min
	爐表溫度	爐體表面溫度小于室溫+10（測量點為1000℃）
	測溫元件	K型熱電偶
	控溫模式	模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能
	電壓功率	220V 3KW
供氣系統(tǒng)	氣路通道	4路
	氣路流量控制	質(zhì)子流量控制器（七星流量計）
	控制精度	±1.5%F.S
	重復(fù)精度	±0.2%F.S
	流量范圍	1-500 SCCM
	機械壓力表	一塊機械壓力表在面板，和混氣灌連接量程：-0.1～0.15 Mpa



真空系統(tǒng) 方案一（低真空：機械泵）	電源	220V
	極限真空度	5X10^-1Pa
	抽氣速率	2升/每秒
	真空擋板閥	KF25
	型號	VRD-8
	電機功率	0.4KW
真空系統(tǒng) 方案二（高真空：機械泵+分子泵機組）	型號	GZK-16-600
	電源	AC100-240 50/60HZ
	功率	1KW
	重量	25KG
	極限壓強	*1.010-4Pa**
	進(jìn)、排氣接口	KF40
	冷水機最大流量	10L/MIN
	真空計	復(fù)合真空計
	真空控制精度	± 1%
	真空計測量范圍	1.0x10 - 1.0x10-5pa
電源（等離子體發(fā)生器）	功率輸出范圍	0-500W
	功率穩(wěn)定度	≤±5W
	工作頻率	射頻：13.56MHZ±0.005%
	匹配方式	自動
	冷卻方式	風(fēng)冷
	噪聲	<50dB







安全	工作環(huán)境	RT±5-40℃
	使用保障	開門斷電超溫報警漏電保護(hù) 過溫保護(hù)




	管式爐	一臺
出廠清單	真空系統(tǒng)	一套
	供氣系統(tǒng)	一套
	射頻電源	一套
	高溫手套	卡斯頓一雙
	爐勾	一把
	氣管	一根
	設(shè)備說明書	一份
	儀表說明書	一份
	保修卡	一份
選購品	移動爐架	不銹鋼
選購品	觸摸屏智能儀表	50段編程，可實現(xiàn)與計算機連接。通過專用的計算機控制系統(tǒng)來完成與單臺或多臺電爐的遠(yuǎn)程控制、實時追蹤、歷史記錄、輸出報表等功能。